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SI8497DB-T2-E1 |
6-UFBGA | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI8497DB-T2-E1参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH D-S 30V MICROFOOT 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：53 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：49nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1320pF @ 15V 功率 - 最大值：13W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 圆形CA3100E18-21PB05-15 嵌入式 - 微处理Z84C0006FEG 固定式AIRD-01-420K 晶体管(BJT) BC239BTA 三端双向可控硅开关BT236X-600,127 热 - 垫，片A16106-16 薄膜电容器B32924E3225M189 Card EdgeEBM40DTAI-S189 芯片电阻 - 表面RG3216P-3573-B-T5 Card EdgeGMC49DRTS-S93 |
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